Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 250 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 350 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Pd - Dissipação de potência: 40 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 10 MHz
Temperatura operacional mínima: -
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP47
Embalagem: Tube
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 9.15 mm
Comprimento: 10.4 mm
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Largura: 4.6 mm
Peso unitário: 6 g