Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 57 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 23 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 86.7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.4 mm
Aliases de núm de peça: IRF3710PBF SP001551058
Peso unitário: 2 g