Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Pacote / Estojo: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de dreno: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 82 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 13 mOhms
Vgs - Tensão Porta-Fonte: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão Limiar Porta-Fonte: 2 V
Qg - Taxa de Portão: 106,7 nC
Temperatura Mínima de Operação: - 55ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 175ºC
Pd - Dissipação de Potência: 200 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Tubo
Marca: Infineon / RI
Configuração: Solteiro
Altura: 15,65 milímetros
Comprimento: 10 milímetros
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 milímetros
Parte # Aliases: IRF2807PBF SP001550978
Unidade de peso: 2g