Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 80 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.8 V
Qg - Carga na porta: 81 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 260 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 15.65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Peso unitário: 2 g