Fabricante: Toshiba
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
RoHS: Detalhes
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 180 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 180 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 2 A
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 200 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2SA1930
Marca: Toshiba
Tensão do coletor contínua: - 2 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 50
Altura: 8.1 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
500
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Largura: 4.5 mm
Peso unitário: 2.300 g