Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 60 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 750 mV
Corrente do coletor DC máxima: 800 mA
Pd - Dissipação de potência: 630 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 250 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Tensão do coletor contínua: 600 mA
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 20
hFE máx. de ganho de corrente DC: 300
Altura: 5.2 mm
Comprimento: 4.8 mm
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Largura: 4.2 mm
Aliases de núm de peça: 2N4401,116
