Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Corrente do coletor DC máxima: 0.2 A
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 0.2 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 30 at 100 uA, 1 V, 40 at 1 mA, 1 V, 50 at 10 mA, 1 V, 30 at 50 mA, 1 V, 15 at 100 mA, 1 V
hFE máx. de ganho de corrente DC: 150
Altura: 5.33 mm
Comprimento: 5.2 mm
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoria: Transistors
Tecnologia: Si
Largura: 4.19 mm
Peso unitário: 201 mg
