Fabricante: Fairchild
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 21 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 42 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2.5 V
Qg - Carga na porta: 9.5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 53 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: QFET
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Tempo de queda: 70 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 11 S
Medidas: 10.67mm comprimento x 4.7mm largurax 16.3mm altura
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 165 ns
Série: FQP20N06L
1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 35 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 10 ns
Aliases de núm de peça: FQP20N06L_NL
Peso unitário: 2 g