Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TO-263-7
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 190 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3.3 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 380 W
Modo de canal: Enhancement
Qualificação: AEC-Q101
Embalagem: Tube
Configuração: Single
Altura: 4.4 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: Automotive MOSFET
Largura: 9.25 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 210 S
Tempo de queda: 48 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 56 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 100 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 19 ns
Peso unitário: 1.600 g
