Descrição do Produto: IGBT Silicon Modules (Pacote com 6)
Os IGBT Silicon Modules da Infineon Technologies são componentes essenciais para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este módulo, ideal para circuitos de potência, oferece uma configuração robusta e tecnologia avançada.
Especificações Técnicas:
- Tensão Máxima Coletor-Emissor (VCEO): 600 V
- Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1.55 V
- Corrente Contínua do Coletor a 25°C: 35 A
- Corrente de Fuga Gate-Emitter: 400 nA
- Dissipação de Potência (Pd): 135 W
- Temperatura Mínima de Operação: -40°C
- Temperatura Máxima de Operação: +150°C
- Tipo de Embalagem: Tray
- Dimensões: 62.8 mm (comprimento) x 33.8 mm (largura) x 12 mm (altura)
- Estilo de Montagem: Montagem por Parafuso
- Tecnologia: Silício (Si)
- Série: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
Características:
- Durabilidade: Construído para suportar condições extremas, este módulo é a escolha ideal para aplicações industriais.
- Fácil Integração: Com dimensões compactas e design otimizado, facilita a integração em diversos projetos eletrônicos.
Aplicações:
Perfeito para sistemas de controle de potência, inversores, e em aplicações que demandam alta performance em eletrônica de potência.
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