Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Meia Ponte
Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx: 1,2 kV
Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 2,5 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 ºC: 150 A
Corrente de Fuga GATE-EMISSOR: 200 nA
Pd - Dissipação de Potência: 800 W
Invólucro/Case: Meia Ponte2
Temperatura Mínima de Operação: -40 ºC
Temperatura Máxima de Operação: +150 ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30 mm
Comprimento: 106,4 mm
Tensão Máxima GATE-EMISSOR: 20 V
Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 61,4 mm
Peso Unitário: 355,475 g