Descrição do Produto:
O Módulo IGBT 6MBI100U4B-120 é um dispositivo eletrônico de potência que combina a funcionalidade de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor) com a facilidade de utilização de um módulo de potência. Este componente é projetado para aplicações que exigem altas correntes e tensões, como em inversores, conversores de energia, acionamentos de motores, fontes de alimentação e outras aplicações de controle de potência.

 Principais Características:

Modelo: 6MBI100U4B-120
Tipo de Dispositivo: Módulo IGBT
Tensão Máxima de Coletor-Emissor (Vces): 1200V
Corrente Máxima do Coletor Contínua (Ic): 100A
Corrente Máxima de Pico (Icp): 200A
Tensão de Saída do Gate (VGE): ±20V
Temperatura de Operação (Tj): -40°C a +150°C
Montagem: Módulo de potência com encapsulamento padrão

Especificações Elétricas:

Tensão de Isolamento entre Coletor e Emissor (VISO): 2500Vrms (mín.)
Queda de Tensão do Coletor para Emissor (VCEsat): 2.8V (máx.) a 100A
Tensão de Saturação do Gate (VGEth): 5.0V (mín.) a 25°C
Resistência Térmica do Invólucro (Rth(j-c)): 0.28°C/W

Características de Proteção:

Proteção contra Sobrecorrente (OCP): O dispositivo possui recursos de proteção para evitar danos causados por correntes excessivas.

Aplicações:
O Módulo IGBT 6MBI100U4B-120 é amplamente utilizado em diversas aplicações que envolvem controle de potência, incluindo, mas não se limitando a:

Inversores e conversores de energia
Acionamentos de motores
Fontes de alimentação industriais e comerciais
Equipamentos de soldagem
Sistemas de tração em transportes
Sistemas de energia renovável, como turbinas eólicas e sistemas fotovoltaicos