Categoria de Produto: Módulos IGBT
Produtos: Módulos de Silício IGBT
Tensão do Coletor-Emissor VCEO Max: 1200 V
Tensão de saturação coletor-emissor: 2 V
Corrente de fuga do emissor-portão: 100 nA
Pd - Dissipação de Potência: 555 W
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura Máxima de Operação: + 150ºC
Embalagem: Bandeja
Marca: Tecnologias Infineon
Tensão Máxima do Emissor da Porta: 20 V
Tipo de Produto: Módulos IGBT
Series: Vala/Parada de Campo IGBT4 - T4
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Parte # Aliases: SP000624754 FF100R12RT4HOSA1
Unidade de peso: 160g
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