Usando a nova tecnologia IGBT de parada de campo.

A nova tecnologia da ON Semiconductor série de IGBTs de 2ª geração de parada de campo oferecem o melhor desempenho para inversor solar, UPS, soldador, telecomunicações, ESS e PFC
Aplicações onde baixas perdas de condução e comutação são essenciais.

Características
• Temperatura Máxima da Junção: TJ = 175°C
• Coeficiente de Temperatura Positivo para Fácil Operação Paralela
• Alta capacidade de corrente
• Baixa tensão de saturação: VCE(sat) = 1,9 V (Typ) @ IC = 40 A
• Alta impedância de entrada
• Comutação rápida: EOFF = 6,5 J/A
• Aperte a Distribuição de Parâmetros
• Este dispositivo é livre de Pb, livre de halogênio/livre de BFR e é RoHSCompatível
Formulários
• Inversor Solar, Soldador, UPS, PFC, Telecom, ESS

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